您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > fds8947a
  • FDS8947A

FDS8947A

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds730pF @ 15V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

fds8947a的相关型号: