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  • FDS9934C

FDS9934C

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.31972
  • 5000$0.29768
  • 12500$0.28665
  • 25000$0.27563
  • 62500$0.27122
描述MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOICFET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A,5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 10V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)
其它名称FDS9934C-NDFDS9934CTR

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