| 描述 | POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9.1 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 476 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223（TO-261） |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
【Fairchild Semiconductor】FDT55AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
【Fairchild Semiconductor】FDT86102LZ,MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86106LZ,MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】FDT86113LZ,MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86244,MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86246,MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
