| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 62W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | DPAK3（IPAK） |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
【Fairchild Semiconductor】FDU6030BL,MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDU6030BL_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6512A,MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDU6512A_Q,MOSFET 20V N-Ch PwoerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6612A,MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDU6612A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
