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FDU6612A_Q

描述MOSFET 30V N-Ch PowerTrench漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体IPAK封装Tube
下降时间4 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)28 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.8 W
上升时间15 ns典型关闭延迟时间24 ns

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