| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 9.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDU6612A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6644,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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