| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 10.7A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1082pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDU6512A_Q,MOSFET 20V N-Ch PwoerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6612A,MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDU6612A_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6644,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDU6670AS,MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
【Fairchild Semiconductor】FDU6680A,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench