描述 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120mA | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V | 功率 - 最大 | 350mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDV302PTR |
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【Fairchild Semiconductor】FDV302P_D87Z,MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV302P_NB8V001,MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV303N,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV303N_NB9U008,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
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