| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 742pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 9-WFBGA |
| 供应商设备封装 | 9-BGA | 包装 | 带卷 (TR) |
2所示为基于微控制器的功率管理架构，提供所有的硬件和软件功能，如上所述，采用多芯片方式来实现。设定这个单元需要权衡许多因素。锂离子低压 (典型值3v)电源有助于提高标准cmos器件的集成度，但如与外部ac适配器接口的充电器需要集成，这个选择就会遇到麻烦，在这种情况下，工艺技术所需耐受的电压便远高于cmos的标准5v电压。 某些稳压器 (如为cpu供电的降压转换器) 需要提供持续升高的功率水平，这在单一cmos架构的电路板上难以实现。在这种情况下，使用超小型bga封装的p沟道dmos分立晶体管，如fdz299p，将有助于解决问题。最终，如果成本允许使用高掩膜数，功能强大的混合信号双极cmos-dmos (bcd) 工艺可实现真正的单片解决方案，以处理电压电流和栅极数量的复杂性。如图2所示，手机中每个子系统均需本身特定的供电方式；rf部分的低噪声ldo；以及其它部分的低功耗ldo。还需要使用高效的降压转换器，用于高耗能处理器；与led驱动器相结合的升压转换器，用于led阵列；以及充电时将锂离子电池与外部交流适配器相连的线性充电器。微控制器如pmu部分所述，微控制器 (其方框图见图3) 是功能丰富的手机或 ...
