描述 | MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 10.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V |
功率 - 最大 | 180W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3PN |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQA19N20L,MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA19N60,MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA20N40,MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA22P10,MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50,MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50F,MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P