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  • FQB7N65CTM

FQB7N65CTM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 650V 7A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 3.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1245pF @ 25V
功率 - 最大173W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装带卷 (TR)其它名称FQB7N65CTMTR

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