| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 12.8W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 | 供应商设备封装 | TO-126 |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQE10N20LCTU,MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
【Fairchild Semiconductor】FQG4902TU,MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET
【Fairchild Semiconductor】FQG4904TU,MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET
【Fairchild Semiconductor】FQH140N10,MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH18N50V2,MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH44N10,MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH44N10_F133,MOSFET N-CH 100V 48A TO-247