| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | 功率 - 最大 | 12.8W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 供应商设备封装 | TO-126 | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQG4902TU,MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET
【Fairchild Semiconductor】FQG4904TU,MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET
【Fairchild Semiconductor】FQH140N10,MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH18N50V2,MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH44N10,MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH44N10_F133,MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
