描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.034 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
封装 | Rail | 下降时间 | 75 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.75 W |
上升时间 | 170 ns | 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI47P06TU,MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N20LTU,MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N20TU,MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N25TU,MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N80TU,MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK