| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.35 欧姆 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 310pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.13W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQI4N20TU,MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N25TU,MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N80TU,MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N90TU,MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4P40TU,MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06LTU,MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06TU,MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK