| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 4.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | 功率 - 最大 | 72W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C,MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C_Q,MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40,MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C,MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C_Q,MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET