| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 2A SSOT-3 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 320mV @ 50mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FSB619-NDFSB619TR |
【Fairchild Semiconductor】FSB619_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FSB649,TRANSISTOR NPN 25V 3A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FSB649_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FSB660,TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FSB660_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FSB660A,TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FSB660A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation