描述 | IGBT 晶体管 14A 370V | 在25 C的连续集电极电流 | 25 A |
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栅极—射极漏泄电流 | 40 uA | 功率耗散 | 136 W |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 / 箱体 | TO-263AB-3 |
封装 | Tube | 集电极最大连续电流 Ic | 25 A |
最小工作温度 | - 55 C | 安装风格 | SMD/SMT |
工厂包装数量 | 50 |
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N40F3VLS,IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N35G3VLS,IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VL,IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VLS,IGBT 晶体管 20A 360V Clamp
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60A4S9A,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60C3S9A,IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S2N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK