| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 20V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUF75309D3S,MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75309D3ST,MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75309P3,MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUF75309P3_Q,MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
【Fairchild Semiconductor】HUF75309T3ST,MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3,MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3S,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK