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IPD50N06S3-07

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:55 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥12.83
  • 10¥11.59
  • 100¥10.42
  • 500¥9.66
  • 1000¥5.20
产品属性
描述MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)6.9 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间73 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散136 W上升时间60 ns
典型关闭延迟时间45 ns零件号别名IPD50N06S307XT

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