| 描述 | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 88pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） | 供应商设备封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF5801TRPBF-NDIRF5801TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF5802TR,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TRPBF,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5803D2,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2PBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TR,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TRPBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC