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IRF5810TR

描述MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.9A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs9.6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 16V
功率 - 最大960mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
包装带卷 (TR)

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