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  • IRF6604TR1

IRF6604TR1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫欧 @ 12A,7VId 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2270pF @ 15V
功率 - 最大2.3W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MQ供应商设备封装DIRECTFET? MQ
包装带卷 (TR)

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