| 描述 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.3 毫欧 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6930pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6607-NDIRF6607TR |
国际整流器公司（ir）最近推出的irf6607是30v的mosfet，在降压dc/dc转换器中用作同步整流开关，开关频率高达2mhz。 微处理器的工作电压降低到1v、速度越来高，它消耗的功率很大，遇到的最大阻碍是把热量散发出去。为此，让微处理器工作在电源通、断状态，对瞬变响应速度的要求一直在提高，新的微处理器要求瞬态响应速度高达400a/μs。用电容器存储电能的方法，已经难以满足电流瞬变的需要同时又保持电压稳定，电路板上的走线电阻也成为问题。面对这些挑战，出路是提高dc/dc的开关频率和反馈回路的带宽，降压转换器必须工作在1至2mhz的频率范围。 irf6607很好地满足了这样的要求，它的导通电阻仅2.7mω，栅极电荷qgd为16nc，qg为50nc。它采用directfet封装，芯片装在铜壳中，铜壳直接装在印制电路板上。栅极和源极的面积很大，是直接焊到板上，漏极则压焊在铜壳顶部，因此封装本身的电阻很小，电感也很小。directfet的封装电阻只0.1mω（不包括芯片的电阻）、寄生电感为0.6nh。因此，d irctfet可在1mhz至2mhz的频率范围内保持低损耗。2002 ...
【International Rectifier】IRF6607TR1,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608TR1,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1PBF,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TRPBF,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6610,MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
