描述 | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 8.2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.9V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MZ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MZ |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6662TR1PBFTR |
【International Rectifier】IRF6662TRPBF,MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6665,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
【International Rectifier】IRF6665TR1,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
【International Rectifier】IRF6665TR1PBF,MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6665TRPBF,MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6668TR1,MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
【International Rectifier】IRF6668TR1PBF,MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET