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  • IRF6662TR1PBF

IRF6662TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.51
  • 3000$1.438
  • 5000$1.388
  • 10000$1.342
描述MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFETFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 8.2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1360pF @ 25V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MZ供应商设备封装DIRECTFET? MZ
包装带卷 (TR)其它名称IRF6662TR1PBFTR

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