| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.4 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.55V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRF9910TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952PBF,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952QTRPBF,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TR,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TRPBF,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC