描述 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A,105A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 35μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1314pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 31W,38W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
【International Rectifier】IRFH5004TR2PBF,MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5004TRPBF,MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5006TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5006TRPBF,MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TR2PBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TRPBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN