| 描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | 漏极连续电流 | 62 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.015 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-262 | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 36 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 70 W | 上升时间 | 52 ns |
| 工厂包装数量 | 50 | 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N310AS3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N312AD3,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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