| 描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | 漏极连续电流 | 58 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.012 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 30 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 75 W | 上升时间 | 60 ns, 30 ns |
| 工厂包装数量 | 400 | 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N312AS3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N315AD3,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N315AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N318AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AD3ST,MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch