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KSB810OTA

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min70 at 100 mA at 1 V
配置Single最大工作频率160 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92Mini封装Ammo Pack
功率耗散350 mW

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