| 描述 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 600MHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | - | 功率 - 最大 | 225mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 3mA，1V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 10mA |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】MMBT5770_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】MMBT5771_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/ 15V/ 200mA
【ON Semiconductor】MMBT589LT1,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3G,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP