描述 | TRANS PNP GP BIPO 1W 60V TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 500mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 500mV @ 10mA,250mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 250mA,1V |
功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 50MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
供应商设备封装 | TO-92 | 包装 | 散装 |
【ON Semiconductor】MPSW55RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 60V TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSW56,TRANSISTOR PNP GEN PURP TO-226
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_D26Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【ON Semiconductor】MPSW56RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92