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  • MTD6N15T4G

MTD6N15T4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.50176
  • 5000$0.47667
  • 12500$0.45875
  • 25000$0.44442
  • 62500$0.43008
描述MOSFET N-CH 150V 6A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装带卷 (TR)其它名称MTD6N15T4GOSMTD6N15T4GOS-NDMTD6N15T4GOSTR

“MTD6N15T4G”技术资料

  • MTD6N15T4G的技术参数

    产品型号:mtd6n15t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):150源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):300最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:n沟道封装/温度(℃):4dpak/-55~150描述:6a,150v,dpak,n沟道功率mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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