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NDC652P_F095

描述MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE漏极连续电流2.4 A
配置Single Triple Drain Dual Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SuperSOT-6
封装Reel下降时间26 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1600 mW
上升时间26 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间22 ns

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