| 描述 | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A，2.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 27nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 525pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
【Fairchild Semiconductor】NDS9945,MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9945_L86Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDS9947,MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9948,MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9948_Q,MOSFET Dual PCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A,MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A_Q,MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE
