| 描述 | MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.095 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-223 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 6 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3 W |
| 上升时间 | 10 ns | 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDT3055,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_J23Z,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode