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  • NTD60N02R

NTD60N02R

描述MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装管件

“NTD60N02R”技术资料

  • NTD60N02R的技术参数

    产品型号:ntd60n02r源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:60a,24v功率mosfet价格/1片(套):¥5.40 来源:xiangxueqin ...

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