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  • NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.20925
  • 6000$0.19575
  • 15000$0.18225
  • 30000$0.1728
  • 75000$0.16875
描述MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP输出数1
Rds(开)55 毫欧内部开关
电流限制3.3A输入电压1.8 V ~ 8 V
工作温度-50°C ~ 150°C安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)其它名称NTGD1100LT1G-NDNTGD1100LT1GOSTR

“NTGD1100LT1G”技术资料

  • NTGD1100LT1G的技术参数

    产品型号:ntgd1100lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):55最大漏极电流id(on)(a):3.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):tsop6/-55~150描述:8v,3.3a p沟道mosfet价格/1片(套):¥2.00 来源:xiangxueqin ...

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