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  • NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.23925
  • 6000$0.22275
  • 15000$0.2145
  • 30000$0.20625
  • 75000$0.20295
描述MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A,3.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 4.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.9nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 10V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD3102CT1G-NDNTHD3102CT1GOSTR

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