| 描述 | MOSFET -20V -4.1A Dual | 漏极连续电流 | - 4.1 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.12 Ohms | 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | ChipFET-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 12 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 7 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 0.6 W |
| 上升时间 | 12 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
【ON Semiconductor】NTHD4102PT1G,MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD4401PT1G,MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD4401PT3,MOSFET P-CHAN DUAL 20V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD4401PT3G,MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD4502NT1,MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD4502NT1G,MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET