| 描述 | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTJD1155LT1GOSTR |
产品型号:ntjd1155lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175最大漏极电流id(on)(a):1.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet价格/1片(套):￥1.60 来源:xiangxueqin ...
【ON Semiconductor】NTJD2152PT1G,MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT2,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT2G,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT4,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT4G,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD3158CT1G,MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY
