| 描述 | PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），142A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 316μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 71.3 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3900 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），155W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
【ON Semiconductor】NTMFS4108NT1G,MOSFET NFET SO8FL 40A 30V 1.8mOhm
【ON Semiconductor】NTMFS4108NT3G,MOSFET N-CHAN 22A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4119NT3G,MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT1G,MOSFET 30V 31A Single N-Channel
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT3G,MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL