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NTMFS4119NT1G

描述MOSFET NFET 32A 30V 2.7MOH漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0035 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 FL封装Reel
下降时间40 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)23 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.3 W
上升时间26 ns工厂包装数量1500
典型关闭延迟时间35 ns

“NTMFS4119NT1G”技术资料

  • NTMFS4119NT1G的技术参数

    产品型号:ntmfs4119nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n封装/温度(℃):so-8fl/-55~150描述:30v,30a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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