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  • NTR1P02LT1

NTR1P02LT1

描述MOSFET -20V -1.3A P-Channel漏极连续电流- 1.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.22 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
下降时间15 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散0.4 W上升时间15 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间18 ns

“NTR1P02LT1”技术资料

  • NTR1P02LT1的技术参数

    产品型号:ntr1p02lt1源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):-1.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23/-55~150描述:-1.3a,-20v功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin ...

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