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  • NTR1P02LT3G

NTR1P02LT3G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.08029
  • 30000$0.07511
  • 50000$0.06734
  • 100000$0.0663
  • 250000$0.06475
描述MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 750mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4V输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 5V
功率 - 最大400mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)其它名称NTR1P02LT3G-NDNTR1P02LT3GOSTR

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