| 描述 | TRANSISTOR PNP GP 60V SOT-223 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 550mV @ 300mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 2W | 频率 - 转换 | 75MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NZT660-NDNZT660TR |
【Fairchild Semiconductor】NZT660_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】NZT660A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】NZT6714,TRANSISTOR NPN GP 30V SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NZT6714_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6715,TRANSISTOR NPN GP 40V SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NZT6715_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】NZT6717,TRANSISTOR NPN GP 80V SOT-223