| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.4 毫欧 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.15V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4235pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 6.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934058879518PHK31NQ03LT /T3PHK31NQ03LT /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHK4NQ10T,518,MOSFET N-CH 100V 4A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHK4NQ20T,518,MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHK5NQ15T,518,MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,118,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC