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  • PHM15NQ20T,518

PHM15NQ20T,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2170pF @ 30V
功率 - 最大62.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘供应商设备封装8-HVSON
包装带卷 (TR)其它名称934057304518PHM15NQ20T /T3PHM15NQ20T /T3-ND

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