描述 | MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 17.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2170pF @ 30V |
功率 - 最大 | 62.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-HVSON |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057304518PHM15NQ20T /T3PHM15NQ20T /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHM18NQ15T,518,MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
【NXP Semiconductors】PHM21NQ15T,518,MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1
【NXP Semiconductors】PHM25NQ10T,518,MOSFET N-CH 100V 30.7A SOT685-1
【NXP Semiconductors】PHM30NQ10T,518,MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1
【PacTec】P-HM-9VB-BLK-RT 68090-501-000,罩类、盒类及壳类产品 2.4 X 3.8 X .90 RT