| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 870mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 340 毫欧 @ 200mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 45pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-2365-6 |
【NXP Semiconductors】PMGD290XN,115,MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363
【NXP Semiconductors】PMGD370XN,115,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
【NXP Semiconductors】PMGD400UN,115,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
【NXP Semiconductors】PMGD780SN,115,MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
【NXP Semiconductors】PMGD8000LN,115,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
