| 描述 | PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8000 pF @ 40 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 294W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK |
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-100ES,127,MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-100PS,127,MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-30BL,118,MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-30PL,127,MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80ES,127,MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 120A TO220